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討論:金屬氧化物半導體場效電晶體

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Former good article金屬氧化物半導體場效電晶體曾屬優良條目,但已撤銷資格。下方條目里程碑的連結中可了解撤銷資格的詳細原因及改善建議。條目照建議改善而重新符合標準後可再次提名評選
新條目推薦 條目里程碑
日期事項結果
2006年11月12日優良條目評選入選
2010年9月7日優良條目重審維持
2012年9月12日優良條目重審撤銷
新條目推薦 本條目曾於2006年11月2日登上維基百科首頁的「你知道嗎?」欄位。
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    基礎條目 金屬氧化物半導體場效電晶體屬於維基百科科技主題的基礎條目第五級。請勇於更新頁面以及改進條目。
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    條目評選

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    新條目推薦

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    ~移動自Wikipedia:新條目推薦/候選~(最後修訂
    ~移動完畢~ --Shinjiman 14:50 2006年11月2日 (UTC)

    優良條目評選

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    優良條目重審

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    金屬氧化物半導體場效電晶體編輯 | 討論 | 歷史 | 連結 | 監視 | 日誌,分類:沒有找到,提名人:思源如寧

    優良條目重審(第二次)

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    金屬氧化物半導體場效電晶體編輯 | 討論 | 歷史 | 連結 | 監視 | 日誌,分類:電腦資訊 - 電子學,提名人:CHEM.is.TRY 2012年9月5日 (三) 13:29 (UTC)[回覆]

    投票期:2012年9月5日 (三) 13:29 (UTC) 至 2012年9月12日 (三) 13:29 (UTC)
    撤銷:6支持,0反對。--茶壺留言2012年9月12日 (三) 14:39 (UTC)[回覆]

    三個名詞修訂

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    對於大陸的簡體學術名詞來說
    場效電晶體應該是 -- 場效應電晶體 (FET)
    閘極應該是 -- 柵極 (Gate)
    空乏層 其中空乏 應該是 -- 耗盡層(depletion layer)
    另外多晶矽空乏不知道指什麼,我從未學到過類似多晶矽耗盡的概念,懷疑是襯底耗盡概念的筆誤。
    因為不敢亂改優良條目,所以把意見放在這裏。
    --綿羊 07:26 2006年12月15日 (UTC)

    我在創建這個條目時,使用的譯名皆為台灣慣用的譯法 (事實上在台灣,無論是學校或是產業界,都很少用中文稱呼這些東西,而慣以英文原名稱之,簡單又不會引起爭議)。若是大陸有其他用法,我認為可以並存。--LeviLee 06:45 2006年12月28日 (UTC)

    是否應在在文中使用簡稱

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    金屬氧化物半導體場效電晶體這個名詞實在有點長了,如果每次都寫這麼長的名字人要瘋了的。我覺得本文標題可以保持不變,文章內容應該可以使用「MOSFET」或者「MOS管」兩者之一(大陸課本上都是這麼用的),可以減輕閱讀負擔。大家覺得呢?尤其是使用繁體的朋友們。--Alexander Misel留言2014年12月23日 (二) 14:11 (UTC)[回覆]

    外部連結已修改

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    各位維基人:

    我剛剛修改了金屬氧化物半導體場效電晶體中的1個外部連結,請大家仔細檢查我的編輯。如果您有疑問,或者需要讓機械人忽略某個連結甚至整個頁面,請訪問這個簡單的FAQ獲取更多信息。我進行了以下修改:

    有關機械人修正錯誤的詳情請參閱FAQ。

    祝編安。—InternetArchiveBot (報告軟件缺陷) 2017年7月24日 (一) 09:06 (UTC)[回覆]