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讨论:金属氧化物半导体场效晶体管

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Former good article金属氧化物半导体场效晶体管曾属优良条目,但已撤销资格。下方条目里程碑的链接中可了解撤销资格的详细原因及改善建议。条目照建议改善而重新符合标准后可再次提名评选
新条目推荐 条目里程碑
日期事项结果
2006年11月12日优良条目评选入选
2010年9月7日优良条目重审维持
2012年9月12日优良条目重审撤销
新条目推荐 本条目曾于2006年11月2日登上维基百科首页的“你知道吗?”栏位。
新条目推荐的题目为:
    当前状态:已撤销的优良条目
    基础条目 金属氧化物半导体场效晶体管属于维基百科科技主题的基础条目第五级。请勇于更新页面以及改进条目。
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    条目评选

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    新条目推荐

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    ~移动自Wikipedia:新条目推荐/候选~(最后修订
    ~移动完毕~ --Shinjiman 14:50 2006年11月2日 (UTC)

    优良条目评选

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    以下内容由Wikipedia:优良条目候选移至

    优良条目重审

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    金属氧化物半导体场效晶体管编辑 | 讨论 | 历史 | 链接 | 监视 | 日志,分类:没有找到,提名人:思源如宁

    优良条目重审(第二次)

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    金属氧化物半导体场效晶体管编辑 | 讨论 | 历史 | 链接 | 监视 | 日志,分类:电脑资讯 - 电子学,提名人:CHEM.is.TRY 2012年9月5日 (三) 13:29 (UTC)[回复]

    投票期:2012年9月5日 (三) 13:29 (UTC) 至 2012年9月12日 (三) 13:29 (UTC)
    撤销:6支持,0反对。--茶壶留言2012年9月12日 (三) 14:39 (UTC)[回复]

    三个名词修订

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    对于大陆的简体学术名词来说
    场效晶体管应该是 -- 场效应晶体管 (FET)
    闸极应该是 -- 栅极 (Gate)
    空乏层 其中空乏 应该是 -- 耗尽层(depletion layer)
    另外多晶硅空乏不知道指什么,我从未学到过类似多晶硅耗尽的概念,怀疑是衬底耗尽概念的笔误。
    因为不敢乱改优良条目,所以把意见放在这里。
    --绵羊 07:26 2006年12月15日 (UTC)

    我在创建这个条目时,使用的译名皆为台湾惯用的译法 (事实上在台湾,无论是学校或是产业界,都很少用中文称呼这些东西,而惯以英文原名称之,简单又不会引起争议)。若是大陆有其他用法,我认为可以并存。--LeviLee 06:45 2006年12月28日 (UTC)

    是否应在在文中使用简称

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    金属氧化物半导体场效晶体管这个名词实在有点长了,如果每次都写这么长的名字人要疯了的。我觉得本文标题可以保持不变,文章内容应该可以使用“MOSFET”或者“MOS管”两者之一(大陆课本上都是这么用的),可以减轻阅读负担。大家觉得呢?尤其是使用繁体的朋友们。--Alexander Misel留言2014年12月23日 (二) 14:11 (UTC)[回复]

    外部链接已修改

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    各位维基人:

    我刚刚修改了金属氧化物半导体场效晶体管中的1个外部链接,请大家仔细检查我的编辑。如果您有疑问,或者需要让机器人忽略某个链接甚至整个页面,请访问这个简单的FAQ获取更多信息。我进行了以下修改:

    有关机器人修正错误的详情请参阅FAQ。

    祝编安。—InternetArchiveBot (报告软件缺陷) 2017年7月24日 (一) 09:06 (UTC)[回复]