內存刷洗

內存刷洗（英語：Memory scrubbing）也可稱內存擦洗、內存清洗，是指從每個電腦記憶體位置讀取數據、以一種錯誤糾錯碼（ECC）糾正可能存在的位元錯誤，再將校正後的數據寫回原位置。

由於現代計算機內存芯片的高度集成，單個內存單元的結構已足夠小到易於受到宇宙射線和/或阿爾法粒子的影響。由這些現象引發的錯誤被稱為軟性錯誤，這對基於DRAM或SRAM的內存來說可能是個問題。在任何單個內存位元發生軟錯誤的概率非常小。但是，配以現代計算機的龐大內存空間，加之長時間持續運行的如服務器，在已安裝內存中發生軟錯誤的概率可能比較顯著。

糾錯內存中的信息被冗餘存儲，以便能校正每個內存字（word）的單比特錯誤。也因如此，ECC內存可以支持對內存的刷洗。換句話說，如果內存控制器系統性掃描內存，則可以檢測到單比特錯誤，並可以使用ECC校驗和來確定出錯的比特並將校正的數據寫回內存。

概述

在同一個字（word）未發生多比特錯誤前周期性檢查每個內存位置很重要，這是因為截至2008年，ECC內存模塊還不能校正出現多比特的錯誤。

為了不干擾來自CPU的常規內存請求以及防止電腦性能下降，刷洗通常僅在空閒時進行。由於刷洗是由正常的讀取和寫入操作組成，它可能增加內存相較非刷洗操作時的功耗。因此，刷洗應該周期性但不是持續性進行。許多服務器可以在BIOS設置程序中配置刷洗周期。

普通的內存讀取是由CPU或DMA設備發出和檢查ECC錯誤，但由於數據局部性原因，它們可能被限制在小範圍的地址空間內，並且保持位置、很長時間不被觸碰。這些位置因而可能容易受到多個軟錯誤的影響，而刷洗可確保在指定時間內檢查整個內存。

在某些系統上，不止主內存（基於DRAM的內存）支持刷洗，有些CPU高速緩存（基於SRAM）也可以。在大多數系統上，兩者都可以獨立配置刷洗速率。因為緩存比主內存小得多，所以緩存的擦洗不需要頻繁進行。

內存刷洗提高了可靠性，因此它可被歸類為可靠性、可用性和可維護性（RAS）特性。

變種

它通常有兩種變體，被稱為巡邏刷洗（patrol scrubbing）與按需刷洗（demand scrubbing）。雖然它們本質上都執行內存刷洗及相關的錯誤糾正（如果可行），兩者的主要區別是如何啟動和執行。巡邏刷洗會在系統空閒時自動運行，而按需刷洗是在數據被主存儲器實際請求時執行錯誤糾正。

參見

• 數據刷洗，包含內存刷洗等概念
• 軟性錯誤，執行內存刷洗的一個重要原因
• 錯誤檢測與糾正，內存刷洗的一般理論
• 內存刷新，用於留存內存中存儲的信息。